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APT35GN120BG中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
APT35GN120BG |
| 参数属性 | APT35GN120BG 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 94A 379W TO247 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 文件大小 |
2.83333 Mbytes |
| 页面数量 |
44 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-16 22:48:00 |
APT35GN120BG规格书详情
POWER MOS 7® MOSFET
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
• Lower Input Capacitance
• Increased Power Dissipation
• Lower Miller Capacitance
• Easier To Drive
• Lower Gate Charge, Qg
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
产品属性
- 产品编号：
APT35GN120BG
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT，沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，35A
- 开关能量：
2.315mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/300ns
- 测试条件：
800V，35A，2.2 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 94A 379W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
APT |
18+ |
TO-247 |
2050 |
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询价 | ||
APTMICROSEMI |
1822+ |
TO-247B |
9852 |
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APTMICROSEMI |
23+ |
TO-247B |
90000 |
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询价 | ||
APT |
22+ |
TO-247 |
8000 |
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MICROSEMI-美高森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
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询价 | ||
APT |
22+ |
TO-247B |
8200 |
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APT |
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TO3PL |
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APT |
23+ |
TO-247 |
564 |
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 |
