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APT35GA90B中文资料美高森美数据手册PDF规格书
厂商型号 |
APT35GA90B |
参数属性 | APT35GA90B 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 900V 63A 290W TO-247 |
功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
文件大小 |
2.83333 Mbytes |
页面数量 |
44 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-23 17:39:00 |
APT35GA90B规格书详情
POWER MOS 7® MOSFET
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
• Lower Input Capacitance
• Increased Power Dissipation
• Lower Miller Capacitance
• Easier To Drive
• Lower Gate Charge, Qg
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
产品属性
- 产品编号:
APT35GA90B
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
POWER MOS 8™
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.1V @ 15V,18A
- 开关能量:
642µJ(开),382µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
12ns/104ns
- 测试条件:
600V,18A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 900V 63A 290W TO-247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
TO-247B |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-3P |
10000 |
全新、原装 |
询价 | ||
APTMICROSEMI |
23+ |
TO-247B |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
Microsemi |
23+ |
IGBT |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
APTMICROSEMI |
1822+ |
TO-247B |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
APT |
24+ |
TO-3P |
694 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
APT |
TO-3P |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
询价 | |||
APT |
08+(pbfree) |
TO-247-3 |
8866 |
询价 | |||
Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
APT |
22+ |
TO-247B |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 |