首页>APT35GA90BD15>规格书详情
APT35GA90BD15中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
APT35GA90BD15 |
| 参数属性 | APT35GA90BD15 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 900V 63A 290W TO247 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 文件大小 |
2.83333 Mbytes |
| 页面数量 |
44 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-22 8:48:00 |
APT35GA90BD15规格书详情
POWER MOS 7® MOSFET
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
• Lower Input Capacitance
• Increased Power Dissipation
• Lower Miller Capacitance
• Easier To Drive
• Lower Gate Charge, Qg
• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
产品属性
- 产品编号：
APT35GA90BD15
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，18A
- 开关能量：
642µJ（开），382µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/104ns
- 测试条件：
600V，18A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 900V 63A 290W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTMICROSEMI |
23+ |
TO-247B |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
APT |
18+ |
TO-247 |
2050 |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 [B] |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ADPOW |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
MICROCHIP |
1 |
287 |
进口原装 |
询价 | |||
Microchip Technology |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
Microsemi |
23+ |
IGBT |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
MICROCHIP/微芯 |
24+ |
SMT |
18000 |
诚以养德,用芯做事,全新原装原盒原标出货。 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
21 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-247B |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
