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APT100GT120JRDL规格书详情
描述 Description
ROHS
技术参数
- 型号:
APT100GT120JRDL
- 功能描述:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
- RoHS:
是
- 类别:
半导体模块 >> IGBT
- 系列:
-
- 标准包装:
10
- 系列:
GenX3™ IGBT
- 类型:
PT
- 配置:
单一 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大):
600V Vge,
- Ic时的最大Vce(开):
1.4V @ 15V,100A 电流 -
- 集电极(Ic)(最大):
430A 电流 -
- 集电极截止(最大):
100µA Vce
- 时的输入电容(Cies):
31nF @ 25V 功率 -
- 最大:
1000W
- 输入:
标准 NTC
- 热敏电阻:
无
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:
SOT-227B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
25+ |
ISOTOP |
9350 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
ISOTOP? |
9000 |
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APT |
25+ |
60A/1200V/IG |
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Microsemi |
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24+ |
MODULE |
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询价 | ||
24+ |
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MICROSEMI |
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原装正品 |
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Microsemi |
24+ |
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正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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APT |
23+ |
MODULE |
7300 |
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