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APT100GT120JRDL数据手册Microchip中文资料规格书

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厂商型号

APT100GT120JRDL

功能描述

NPT IGBT & Trench IGBT

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:36:00

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APT100GT120JRDL规格书详情

描述 Description

ROHS

技术参数

  • 型号:

    APT100GT120JRDL

  • 功能描述:

    IGBT 1200V 123A 570W SOT227

  • RoHS:

  • 类别:

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    10

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT

  • 配置:

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies):

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    1000W

  • 输入:

    标准 NTC

  • 热敏电阻:

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装:

    SOT-227B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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