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APT1002RAN	文件：309.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1002RBN	文件：50.45 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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APT1002RDN	文件：331.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARJ-1002	文件：628.88 Kbytes Page：2 Pages	GIGABITRJ45LANMAGNETIC	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASI1002	文件：18.18 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI1002isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto1500MHz. FEATURES: •PG=12dBminat2W/1,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-1002	文件：48.95 Kbytes Page：2 Pages	HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) ■Features 1.SmallSizeandEconomical Berylliaisusedforthematerialoftheresistanceelementtoenabletheterminationtobeofsmallsizeandlowcost. 2.ConnectorsUsed Inthecouplingportion,theAT-1000SerieshasanSMAt	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
AU-Y1002-A	文件：239.28 Kbytes Page：1 Pages	CABLE28AWG,UL2725	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN

详细参数

型号：
APT1002RAN
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-3

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