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CZT3055	文件：219.55 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrent TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●LowVoltage ●ComplementtoCZT2955 ●SurfaceMountedPowerAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CZT3055	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	2.0WSURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT2955andCZT3055typesaresurfacemountepoxymoldedcomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforsurfacemountedpoweramplifierapplicationsupto6.0amps. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT3055-BK	文件：689.51 Kbytes Page：5 Pages	NPN-PowerTransistorDie6.0Amp,100Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT3055NPN	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	2.0WSURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT2955andCZT3055typesaresurfacemountepoxymoldedcomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforsurfacemountedpoweramplifierapplicationsupto6.0amps. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT3055-TR	文件：689.51 Kbytes Page：5 Pages	NPN-PowerTransistorDie6.0Amp,100Volt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DME3055	文件：378.26 Kbytes Page：8 Pages	SiliconBeam-LeadandChipSchottkyBarrierMixerDiodes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DMN3055LFDB	文件：393.89 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DSD-3055	文件：528.76 Kbytes Page：2 Pages	55F-HDDigitalSignage&TouchMonitor	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
DSD-3055	文件：6.27618 Mbytes Page：2 Pages	55FHDIndustrialDigitalSignageMonitor&Touch	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
DT3055	文件：73.89 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •HighCellDensityDMOSTechnology •LowOn-StateResistance •HighPowerandCurrentCapability •FastSwitchingSpeed •HighTransientTolerance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DT3055L	文件：73.6 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •HighCellDensityDMOSTechnology •LowOn-StateResistance •HighPowerandCurrentCapability •FastSwitchingSpeed •HighTransientTolerance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DTB3055	文件：1.18415 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFETTrenchFETPowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU3055	文件：1.11504 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
EPC3055G	文件：69.04 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountPowerTransformer	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
EPC3055G	文件：69.04 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountPowerTransformer	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
E-STLC3055N	文件：315.8 Kbytes Page：25 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT Description TheSTLC3055NisaSLICdevicespecificallydesignedforwirelesslocalloop(WLL)andISDNterminaladaptors(ISDN-TA)andVoIPapplications.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from5.5Vto12V)andselfge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
EVAL-ADM3055EEBZ	文件：454.22 Kbytes Page：24 Pages	SignalandPowerIsolated,CANTransceiversforCANFD	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADM3055EEBZ	文件：505.62 Kbytes Page：24 Pages	5kVrms/3kVrms,SignalandPowerIsolated,CANTransceiversforCANFD GENERALDESCRIPTION TheADM3055E/ADM3057Eare5kVrmsand3kVrmsisolatedcontrollerareanetwork(CAN)physicallayertransceiverswithintegratedisolateddc-to-dcconverters.TheADM3055E/ADM3057Emeetflexibledatarate(CANFD)requirementsforoperationto5Mbpsandhigherandcomplyw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
F3055L	文件：1.00638 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FCS-3055	文件：953.84 Kbytes Page：5 Pages	VarifocalDomeIPNetworkCamera	LVL1 Level One	LVL1

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更多APM3055LUC-TRMOS供应商更新时间2024-6-10 14:08:00

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