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APM2315AC-TRG	文件：264.55 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
APM2315AC-TRL	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2315AC-TRL	文件：1.05131 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM2315AC-TU	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2315AC-TUL	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
ASICD2315	文件：15.33 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICD2315isdesignedforbroadbandamplifierapplicationsincommercialandamateurcommunicationequipment. FEATURES: •PG=18dBmin.at75W/30MHz •IMD3=-30dBcmax.at75W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CD2315	文件：15.33 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICD2315isdesignedforbroadbandamplifierapplicationsincommercialandamateurcommunicationequipment. FEATURES: •PG=18dBmin.at75W/30MHz •IMD3=-30dBcmax.at75W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CEH2315	文件：542.76 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEN2315	文件：923.36 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2315	文件：754.28 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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