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C3519	文件：138.61 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,130W) HIGH-POWERNPNSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERESILICONPOWERTRANSISTOR160-180VOLTS130WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
C3519A	文件：34.45 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
CXD3519	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	ReferenceVoltageandDriverICforLCD Description TheCXD3519TQissuitableICforapplyingreferencevoltageforgammacorrectionwhichisnecessaryforTFTliquidcrystaldisplay.ThisIChasabuilt-in9channelsofrail-to-railbuffercircuitwhichenables2-inputswitchandacommondrivercircuit. Features •Built-in	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
CXD3519TQ	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	ReferenceVoltageandDriverICforLCD Description TheCXD3519TQissuitableICforapplyingreferencevoltageforgammacorrectionwhichisnecessaryforTFTliquidcrystaldisplay.ThisIChasabuilt-in9channelsofrail-to-railbuffercircuitwhichenables2-inputswitchandacommondrivercircuit. Features •Built-in	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
CXM3519ER	文件：320.93 Kbytes Page：19 Pages	SP9T/10TAntennaSwitchModuleforGSMandUMTS/CDMADualModeHandset	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
HI3519A	文件：260.8 Kbytes Page：11 Pages	V1004KSmartIPCameraSoC	HiSiliconHiSilicon(Shanghai) Technologies CO.,LIMITED 海思半导体海思半导体有限公司	HiSilicon
HLMP-3519	文件：203.08 Kbytes Page：10 Pages	T-13/4(5mm)HighIntensityLEDLamps Description ThisfamilyofT-13/4nondiffusedLEDlampsisspeciallydesignedforapplicationsrequiringhigher on-axisintensitythanisachievablewithastandardlamp.Thelightgeneratedisfocusedtoanarrowbeamtoachievethiseffect. Features •HighIntensity •Choiceof	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HLMP-3519	文件：326.58 Kbytes Page：10 Pages	T-13/4(5mm)HighIntensityLEDLamps Description ThisfamilyofT-13/4nondiﬀusedLEDlampsisspeciallydesignedforapplicationsrequiringhigheron-axisintensitythanisachievablewithastandardlamp.Thelightgeneratedisfocusedtoanarrowbeamtoachievethiseﬀect. Features •Highintensity •Choiceof3brightcolors	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
IR3519	文件：360.21 Kbytes Page：10 Pages	SynchronousMOSFETGateDriverIC	IRF International Rectifier	IRF
K3519PQ-XH	文件：52.98 Kbytes Page：3 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheK3519PQ-XHisaDualN-channelMOSFETdesignedforuseasabi-directionalloadswitch,facilitatedbyitscommon-drainconfiguration. FEATURES ·Lowon-stateresistance RDS(ON)1=16mΩMAX(VGS=4.5V,IS=1.0A) RDS(ON)2=17mΩMAX(VGS=3.9V,IS=1.0A) RDS(ON)3	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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