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CEB170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR170N10PG	文件：3.11699 Mbytes Page：4 Pages	100VN-ChannelPowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR170N10RG	文件：2.24483 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
IXFH170N10P	文件：146.64 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiperFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •Spac	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH170N10P	文件：374.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK170N10	文件：145.06 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK170N10P	文件：146.64 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiperFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •Spac	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN170N10	文件：145.06 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK170N10P	文件：310.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	PolarTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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