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CEB1310SL	文件：499.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,88A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1310S	文件：440.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,74A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1310SL	文件：502.35 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,76A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEEH1310	文件：145.31 Kbytes Page：2 Pages	CurrentSenseTransformerType:CEEH>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
CEEH1310C	文件：187.11 Kbytes Page：1 Pages	CurrentTransformer	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
CEM1310SL	文件：484.03 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,14A,RDS(ON)=8.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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详细参数

型号：
APD-1310-XX
制造商：
OPTOWAY
制造商全称：
Optoway Technology Inc
功能描述：
InGaAs Avalanche PHOTODIODE with Single-Mode Pigtail

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APD-1310-XX供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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