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ATP103	文件：93.19 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •Slimpackage •Halogenfreecompliance •Largecurrent •4.5Vdrive •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP103	文件：344.7 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET P-ChannelPowerMOSFET –30V,–55A,13mΩ,SingleATPAK Features •LowON-resistance •Slimpackage •Halogenfreecompliance •Largecurrent •4.5Vdrive •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP103-TL-H	文件：451.15 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP103-TL-H	文件：344.7 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET P-ChannelPowerMOSFET –30V,–55A,13mΩ,SingleATPAK Features •LowON-resistance •Slimpackage •Halogenfreecompliance •Largecurrent •4.5Vdrive •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
B103	文件：189.87 Kbytes Page：2 Pages	1WATTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
BA103	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BAV103	文件：54.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV103	文件：34.99 Kbytes Page：8 Pages	Generalpurposediodes DESCRIPTION TheBAV100toBAV103areswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages. FEATURES •SmallhermeticallysealedglassSMDpackage •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuou	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV103	文件：25.62 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltage,GeneralPurposeDiode Description AgeneralpurposediodethatcoupleshighforwardconductancefastswichingspeedandhighblockingvoltagesinaglassleadlessLL-34surfacemountpackage.Placementoftheexpansiongaphasnorelationshiptothelocationofthecathodeterminalwhichisindicatedbythefirstcolo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BAV103	文件：144.13 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Forgeneralpurpose ♦Thesediodesarealsoavailableinother casestylesincluding:theDO-35casewith thetypedesignationsBAV19toBAV21,theSOD-123 casewiththetypedesignationsBAV19WtoBAV21W, andtheSOT-23casewiththe	GE GE Industrial Company	GE

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更多APC103D/Z供应商更新时间2025-7-25 9:24:00

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