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ATP103	文件：93.19 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •Slimpackage •Halogenfreecompliance •Largecurrent •4.5Vdrive •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP103	文件：344.7 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-ChannelPowerMOSFET –30V,–55A,13mΩ,SingleATPAK Features •LowON-resistance •Slimpackage •Halogenfreecompliance •Largecurrent •4.5Vdrive •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP103	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-55A，13mΩ; • Low ON-resistance\n• Large current\n• Slim package\n• 4.5V drive\n• Protection diode in\n; ATP103 is P-Channel Power MOSFET, -30V, -55A, 13mOhm, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP103-TL-H	文件：344.7 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-ChannelPowerMOSFET –30V,–55A,13mΩ,SingleATPAK Features •LowON-resistance •Slimpackage •Halogenfreecompliance •Largecurrent •4.5Vdrive •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP103_12	文件：451.15 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP103-TL-H	文件：451.15 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-55
PD Max (W)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
20.5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
13.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
76
Ciss Typ (pF)：
2430
Package Type：
DPAK (Single Gauge)/ATPAK

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