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AP9972GP	文件：183.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low 文件：183.72 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9972GP-HF	文件：61.08 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：61.08 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9972GP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	APEC 富鼎先进	APEC
AP9972GR	文件：69.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼Low Gate Charge ▼Single Drive Requirement ▼Surface Mount Package 文件：69.94 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9972GR-HF	文件：106.4 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：106.4 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9972GS	文件：183.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low 文件：183.72 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

技术参数

Configuration：
Single
Type：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
25
RDS(ON) (mΩ max)/10V：
18
RDS(ON) (mΩ max)/4.5V：
22
Ciss (pF)：
3170/5070
Qg (nC)：
32/51

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更多AP9972GP供应商更新时间2026-4-17 16:00:00

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