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AP9972GR

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼Low Gate Charge ▼Single Drive Requirement ▼Surface Mount Package

文件:69.94 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9972GR_09

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:101.1 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9972GR_14

Single Drive Requirement

文件:101.1 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9972GR-HF

Simple Drive Requirement

文件:106.4 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9972GR

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    60

  • VGS (±V):

    25

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    18

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    22

  • Ciss (pF):

    3170/5070

  • Qg (nC):

    32/51

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