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CET9435A	文件：501.99 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5.3A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHM9435AJPT	文件：325.34 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM9435AZPT	文件：331.97 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CJQ9435	文件：3.38563 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJQ9435	文件：1.74831 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJQ9435	文件：858.14 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CMT9435G	文件：469.2 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子工业股份有限公司	CHAMP
CRIO-9435	文件：200.23 Kbytes Page：3 Pages	CompactRIODigitalInputandCounter/TimerModules	NI National Instruments Inc.	NI
DMJT9435	文件：107.93 Kbytes Page：4 Pages	LOWVCE(SAT)PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DTM9435	文件：1.59144 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK

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技术参数

Configuration：
Single
Type：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
RDS(ON) (mΩ max)/10V：
50
RDS(ON) (mΩ max)/4.5V：
90
Ciss (pF)：
570/740
Qg (nC)：
8/16

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