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AP9060	文件：300 bytes Page：1 Pages	OVERVOLTAGE CLAMP AP9060 is designed to protect the latest generation of PMICs for\nportable applications such as Smartphones, UMPCs and others that\nutilize battery power.\nThe device, with its integrated low resistance p-channel MOSFET,\noperates as a switch and passes the input voltage through to the\noutput till Wide Input Voltage Range of 3V – 30VUltra-Low Bias CurrentIntegrated Low On-Resistance P-Channel FETOutput Voltage Clamped at 11.15VPMOS Protection Mechanism – Removes EMI Issues Typically Associated with a NMOS SolutionSupports Reverse Current Operation (USB OTG)Available in a W-DFN1114-3 PackageTo;	Diodes 美台半导体	Diodes
AP90N02D	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	APM 永源微	APM
AP90N02NF	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	APM 永源微	APM
AP90X-08	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：继电器功率继电器，高于 2 A 描述：AP90X-08=RELAY VACUUM	TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine	TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
AP90X-08	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：继电器功率继电器，高于 2 A 描述：AP90X-08=RELAY VACUUM	TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine	TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
AP9101CAK6-AATRG1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：管件功能：电池保护类别：集成电路（IC）电池管理描述：IC BATT PROT LI-ION 1CELL SOT26	PAM 龙鼎微	PAM

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Function：
Battery Protection
Application：
1-Cell
Built-In Dual NMOS：
Yes Y/N
RSS(ON) @VGS=3.9V：
120 mΩ
Overcharge Detection Voltage VCU：
N/A V
Overdischarge Detection Voltage VDL：
2 to 3.4 V
Discharge Overcurrent Detection Voltage VDOC：
0.03 to 0.19 V
Charge Overcurrent Detection Voltage VCOC：
0.019 to 0.03 V
Load Short Detection Voltage VSHORT：
0.16 to 0.32 V
Power-Down Function：
Selectable
Detection Delay：
Built-In Delay Timer
0V Battery Charge Function：
Permission
Packages：
U-DFN2030-6 (Type C)

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更多AP9供应商更新时间2025-10-9 11:00:00

技术参数

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