30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP6H03S采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.75V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 V DS = 30V，ID = 6A \nRDS（ON）<23mΩ\n@ V GS = -2.5V RDS（ON）<31mΩ\n@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nSOP-8表贴封装\n;

APM

永源微

30V NN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application Wireless impulse Load switch Uninterruptible power supply

文件：1.26261 Mbytes 页数：5 Pages

YFWDIODE

佑风微

AIROHA

达发科技

上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)

SOT89

DIODES

美台半导体

上传：深圳市恒诺芯科技有限公司

QFN-42L

AIROHA

达发科技

上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)