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FDS6679AZ	文件：434.54 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6679AZ	文件：289.73 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDS6679AZ	文件：1.20384 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES -30V/-15A Rosion)=6-8MQ(Max.)@Vg=-10V Roson=13MQ(Max)@V,,=-4.5V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDS6679AZ-NL	文件：1.69435 Mbytes Page：5 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDS6679AZ-NL	文件：995.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS6679Z	文件：66.55 Kbytes Page：5 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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GE6679	文件：287.85 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE6679providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchas	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
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