30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP60N03D采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 V DS = 20V，ID = 60A \nRDS（ON）<9m\nΩ@ V GS = -2.5V RDS（ON）<11m\nΩ@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-252表贴封装;

APM

永源微

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

永源微

丝印：AP60N03DF；Package：DFN3.3X3.3；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

Low On-Resistance Fast Switching

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A-POWER

富鼎先进电子

Low On-Resistance Fast Switching

文件：72.63 Kbytes 页数：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：72.64 Kbytes 页数：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子