AP60N03D中文资料30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册APM规格书
AP60N03D规格书详情
描述 Description
AP60N03D采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
特性 Features
V DS = 20V，ID = 60A
RDS（ON）<9m
Ω@ V GS = -2.5V RDS（ON）<11m
Ω@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力
无铅产品
TO-252表贴封装
应用 Application
●PWM应用
●负载开关
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AP |
13+ |
TO-252 |
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TO-252-3L |
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