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AP60N02D	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET AP60N02D采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 20V，ID = 60A \nRDS（ON）<4.5m\nΩ@ V GS = -2.5V RDS（ON）<6.5m\nΩ@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-252表贴封装;	APM 永源微	APM
AP60N02DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	APM 永源微	APM
LMAK60N02	文件：1.79843 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AP60N02D；Package：TO-252；20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.79843 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DTU60N02	文件：1.56954 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.56954 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
HM60N02K	文件：498.89 Kbytes Page：6 Pages	High density cell design for ultra low Rdson 文件：498.89 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
LMAK60N02	文件：1.79843 Mbytes Page：5 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.79843 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

更多AP60N02D供应商更新时间2025-11-25 11:06:00