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AP4435GJ-HF	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：109 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GJ-HF_14	文件：106.2 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：106.2 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM	文件：202.58 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4435GM；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：202.58 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM	文件：1.00267 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00267 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AP4435GM-HF	文件：538.97 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：538.97 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AP4435GM-HF	文件：208.18 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4435GM；Package：SO-8；Simple Drive Requirement, Low On-resistance 文件：208.18 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM-HF_14	文件：208.18 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：208.18 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM-HF_16	文件：103.34 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：103.34 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GYT-HF	文件：101.03 Kbytes Page：4 Pages	丝印：4435GYT；Package：PMPAK-83x3；Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile 文件：101.03 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GYT-HF_14	文件：101.03 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：101.03 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

技术参数

Configuration：
Single
ESD：
N
VDS(min)：
-30
Id at 25℃(max)：
10.5
Vgs(th) typ(V)：
±20
Rds(on) (typ)(@10V)：
16/20
Rds(on) (typ)(@4.5V)：
27/35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP4435供应商更新时间2025-12-26 11:15:00

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