首页 >AP40T10GHMOS(场效应管)>规格书列表
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N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司 | A-POWER | ||
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SingleDriveRequirement | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司 | A-POWER | ||
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40V,1AlowVFTrenchMEGASchottkybarrierrectifier | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
40V,1AlowVFTrenchMEGASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription TrenchMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierencapsulatedin aCFP3(SOD123W)smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤ | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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