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PMEG40T10ER-Q	文件：251.16 Kbytes Page：13 Pages	Marking：L2；Package：CFP3；40 V, 1 A low VF Trench MEGA Schottky barrier rectifier 1.Generaldescription TrenchMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierencapsulatedin aCFP3(SOD123W)smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG40T10ER-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123W；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
AP40T10GH	文件：133.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP40T10GH	文件：983.81 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP40T10GH-HF	文件：54.73 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP40T10GI	文件：105.01 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP40T10GI-HF	文件：100.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP40T10GP-HF	文件：92.15 Kbytes Page：4 Pages	SingleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP40T10GR	文件：98.89 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
PMEG40T10ER	文件：229.35 Kbytes Page：14 Pages	40V,1AlowVFTrenchMEGASchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多PMEG40T10ER-Q供应商更新时间2025-5-12 9:32:00

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