30V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =42A - RDS(ON)

文件：1.81544 Mbytes 页数：10 Pages

APME

永源微电子

40V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS =40V ID =48A - RDS(ON)

文件：1.14513 Mbytes 页数：10 Pages

APME

永源微电子

40V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =42A - RDS(ON)

文件：1.5849 Mbytes 页数：10 Pages

APME

永源微电子

60V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =42A - RDS(ON)

文件：2.33149 Mbytes 页数：10 Pages

APME

永源微电子

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ▼ Advanced IGBT Technology ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.15V@IC=40A ▼ Industry Standard TO-3P Package

文件：99.8 Kbytes 页数：3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

20V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=20V ID=40A - RDS(ON)

文件：1.23727 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

30V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=30V ID =40A - RDS(ON)

文件：754.22 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

30V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =4A - RDS(ON)

文件：841.02 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

40V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =40A - RDS(ON)

文件：780.49 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

60V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =40A - RDS(ON)

文件：761.37 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子