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AP40G120W

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ▼ Advanced IGBT Technology ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.15V@IC=40A ▼ Industry Standard TO-3P Package

文件:99.8 Kbytes 页数:3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP40G120W_14

Advanced IGBT Technology

文件:99.8 Kbytes 页数:3 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP40G120W

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

APEC

富鼎先进电子

AP4306AKTR-AG1

DIODES美台
SOP8

DIODES美台

AP4306CKTR-G1

DIODES美台
SOT-23

DIODES美台

详细参数

  • 型号:

    AP40G120W

  • 制造商:

    A-POWER

  • 制造商全称:

    Advanced Power Electronics Corp.

  • 功能描述:

    N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APEC
22+
TO-3P
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TO-3P
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PDFN3*3-8L
50000
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TO-252-3L
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更多AP40G120W供应商 更新时间2025-10-12 14:02:00