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AP38N10D

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

永源微

MSAER38N10A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Features • Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only) • Rugged polysilicon gate cell structure • Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Rev

文件:48.78 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

AP3907MTR-G1

SOP7

DIODES

美台半导体

上传:深圳市励芯恒智能科技有限公司

AP3981BEV2

N/A

DIODES

美台半导体

上传:深圳市万佳诚业科技有限公司

AP3988MTR-G1

sop7

DIODES

美台半导体

上传:深圳市宇集芯电子有限公司

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更多AP38N10D供应商 更新时间2025-12-26 16:24:00