丝印：AP35；150mA Low Supply Current LDO REGULATOR

FEATURES • Supply Current Typ. 1.0μA (Except the current through CE pull down circuit) • Standby Current Typ. 0.1μA • Dropout Voltage

文件：1.26978 Mbytes 页数：36 Pages

NISSHINBO

日清纺微电子

丝印：AP35G04GD；Package：TO-252-4L；40V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =33A - RDS(ON)

文件：1.53861 Mbytes 页数：10 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35H04NF；Package：PDFN5X6-8L；40V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =35A - RDS(ON)

文件：1.60439 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35H10NF；Package：PDFN5X6-8；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =35A - RDS(ON)

文件：784.39 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35N06D；Package：TO-252-3L；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =35A - RDS(ON)

文件：994.99 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35N10D；Package：TO-252-3L；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =35A - RDS(ON)

文件：1.26266 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35P10D；Package：TO-252-3L；-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = -100V ID =-35A - RDS(ON)

文件：880.33 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35G04GD；Package：TO-252-4L；40V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =33A - RDS(ON)

文件：1.53861 Mbytes 页数：10 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35H04NF；Package：PDFN5X6-8L；40V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 40V ID =35A - RDS(ON)

文件：1.60439 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP35H10NF；Package：PDFN5X6-8；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =35A - RDS(ON)

文件：784.39 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子