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FGPF30N30D

300V,30APDPIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

IXFP30N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXGH30N30

HiPerFASTIGBT

Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •NewestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •

IXYS

IXYS Corporation

详细参数

  • 型号:

    AP30N30WI

  • 制造商:

    A-POWER

  • 制造商全称:

    Advanced Power Electronics Corp.

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP30N30WI供应商 更新时间2025-5-24 9:01:00