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AP30G100W

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ▼ High speed switching ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A ▼ Industry Standard TO-3P Package ▼ RoHS Compliant

文件:220.55 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP30G100W_14

High speed switching

文件:220.55 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP30G100W

High speed switching

APEC

富鼎先进

AP3108LGSTR-G1

SSOP-9

DIODES

美台半导体

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

AP3126

SOT23-5

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更多AP30G100W供应商 更新时间2026-1-22 9:01:00