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AP30G120SW	文件：100.11 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD VCES 1200V IC 30A Features ▼ High speed switching ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A ▼ RoHS Compliant ▼ CO-PAK, IGBT with FRD 文件：100.11 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AP30G120SW	文件：93.35 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD Features ▼ High Speed Switching ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A ▼ CO-PAK, IGBT With FRD ▼ RoHS Complian 文件：93.35 Kbytes 页数：3 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
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AP30G120SW	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT	APEC 富鼎先进	APEC
AP30G120SW	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD	AOS 美国万代	AOS

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