-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP2301BI采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至-0.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 一般特性高功率，和电流处理能力，无铅产品SOT23-3小体积封装 VDS = -20V，ID = -0.8A \nRDS（ON）<115m\nΩ@ V GS = -4.5V RDS（ON）<120m\nΩ@ V GS = -2.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nSOT23-3小体积封装;

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1.5A DDR TERMINATION REGULATOR

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2.0A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH

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