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AP20N04D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Mosfet AP20N04D采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 40V，ID = 20A \nRDS（ON）<28mΩ\n@ V GS = -2.5V RDS（ON）<35mΩ\n@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-252表贴封装;	APM 永源微	APM
LMQ20N04A	文件：1.06044 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET 文件：1.06044 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
MS20N04NE	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：215.72 Kbytes 页数：4 Pages	BWTECH	BWTECH
MTD20N04HDLT	文件：1.01535 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01535 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

耐压：
40V
栅源电压：
±20
开启电压：
1.6V
内阻（Max)10v：
28mΩ
内阻(Max)4.5v：
35mΩ
ESD：
NO
状态：
量产
封装：
TO-252

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更多AP20N04供应商更新时间2025-11-5 17:02:00

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