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AP2012SF4C-P22	文件：645.49 Kbytes Page：4 Pages	2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode DESCRIPTION ●SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfraredEmittingdiodes. FEATURES ●2.0mmx1.25mmSMDLED,1.1mmthickness ●Mechanicallyandspectrallymatchedtothephototransistor ●Package:2000pcs/reel ●Moisturesensitivitylevel:3 ●RoHScompliant APPLICATIONS ●In	KingbrightKingbright Company LLC 今台电子今台电子股份有限公司	Kingbright
AP2012SF4C-P22	文件：1.02567 Mbytes Page：4 Pages	2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode DESCRIPTION ●SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfraredEmittingdiodes FEATURES ●2.0mmx1.25mmSMDLED,1.1mmthickness ●Mechanicallyandspectrallymatchedtothephototransistor ●Package:2000pcs/reel ●Moisturesensitivitylevel:3 ●RoHScompliant APPLICATIONS ●Inf	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司	TO-GRACE
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AP2012SF4C-P22

文件：645.49 Kbytes

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2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode

DESCRIPTION ●SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfraredEmittingdiodes. FEATURES ●2.0mmx1.25mmSMDLED,1.1mmthickness ●Mechanicallyandspectrallymatchedtothephototransistor ●Package:2000pcs/reel ●Moisturesensitivitylevel:3 ●RoHScompliant APPLICATIONS ●In

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今台电子今台电子股份有限公司

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2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode

DESCRIPTION ●SF4MadewithGalliumAluminumArsenideInfraredEmittingdiodes FEATURES ●2.0mmx1.25mmSMDLED,1.1mmthickness ●Mechanicallyandspectrallymatchedtothephototransistor ●Package:2000pcs/reel ●Moisturesensitivitylevel:3 ●RoHScompliant APPLICATIONS ●Inf

TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD.

至恩科技香港至恩科技有限公司

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AP2012SF4C-P22

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Package：0805（2012 公制）；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：2.0X1.2MM INFRARED SMD LED

KingbrightKingbright Company LLC

今台电子今台电子股份有限公司

Kingbright

产品属性

产品编号：
AP2012SF4C-P22
制造商：
Kingbright
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
50mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
0.8mW/sr @ 20mA
波长：
880nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
视角：
160°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0805（2012 公制）
描述：
2.0X1.2MM INFRARED SMD LED

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