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DAS1151	文件：1.82534 Mbytes Page：4 Pages	LOWLEVELINPUT12BITDATAACQUISITIONMODULES	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EBED1151M	文件：40.42 Kbytes Page：2 Pages	TimersInterval,DelayonRelease	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ECQB1151KF	文件：133.27 Kbytes Page：6 Pages	PlasticFilmCapacitors	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ECQP1151JZ	文件：102 Kbytes Page：6 Pages	PlasticFilmCapacitors	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ECQP1151JZ	文件：102 Kbytes Page：6 Pages	PlasticFilmCapacitors	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ENA1151	文件：170.52 Kbytes Page：8 Pages	CMOSIC2-CellLithium-IonSecondaryBatteryProtectionIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FCX1151A	文件：49.35 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 5APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto5Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.60mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)66mΩat3A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX1151A	文件：66.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-3AHighContinuousCurrent •ICM=-5APeakPulseCurrent •VeryLowVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FCX1151A	文件：52.83 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●5Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto5Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.60mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance.RCE(sat)66mΩat3A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX1151A	文件：715.75 Kbytes Page：8 Pages	PNPPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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