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AP10H03DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET	APM 永源微	APM
AP10H03DF-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	APM 永源微	APM
CJAC10H03	文件：2.01653 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：2.01653 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MCAC10H03	文件：519.96 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：519.96 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
PJM10H03NSA	文件：2.4476 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：2.4476 Mbytes 页数：7 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

技术参数

漏源电压(Vdss)：
30V
连续漏极电流(Id)：
10A
功率(Pd)：
26W
阈值电压(Vgs(th)@Id)：
2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：
9.82nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)：
896pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)：
108pF@15V
工作温度：
-55℃~+150℃@(Tj)

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更多AP10H03DF供应商更新时间2025-12-11 17:30:00

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