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AP10H03DF-L数据手册APM中文资料规格书

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厂商型号

AP10H03DF-L

功能描述

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

APM Asia Pacific Microsystems, Inc.

中文名称

亚太 亚太优势微系统股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :AP10H03DF-L

  • 生产厂家

    :APM

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 连续漏极电流(Id)

    :10A

  • 功率(Pd)

    :26W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :2.5V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :9.82nC@4.5V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :896pF@15V

  • 反向传输电容(Crss@Vds)

    :108pF@15V

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

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