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BFP420	文件：50.27 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForhighgainlownoiseamplifiersForoscillatorsupto10GHz) NPNSiliconRFTransistor •Forhighgainlownoiseamplifiers •Foroscillatorsupto10GHz •NoisefigureF=1.05dBat1.8GHzoutstandingGms=20dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Goldmetalizationforhighreliability •SIEGET®25-Line SiemensGroundedEmitter	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP420	文件：74.44 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forhighgainandlownoiseamplifiers •MinimumnoisefigureNFmin=1.1dBat1.8GHzOutstandingGms=21dBat1.8GHz •Foroscillatorsupto10GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisib	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420	文件：567.85 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：49.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor ProductBrief TheBFP420FisalownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.5VandcurrentsuptoIC=60mA.Thedeviceisespeciallysuitedformobileapplicationsinwhichlowpowerconsumptionisakeyrequirement.Thetypicaltransition	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：63.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：1.54555 Mbytes Page：30 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420W	文件：245.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFV420	文件：41.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:BFV421. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.100V). APPLICATIONS •Primarilyintendedforvideoapplications(monitors).	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BFY420	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •ForHighGainLowNoiseAmplifiers •ForOscillatorsupto10GHz •NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz •Hermeticallysealedmicrowavepackage •TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY420	文件：145.91 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
AP-B420L
制造商：
LEM
制造商全称：
LEM
功能描述：
AC Current transducer AP-B420L

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