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AOWF360A70	文件：658.67 Kbytes Page：6 Pages	700V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor GeneralDescription •ProprietaryaMOS5TMtechnology •LowRDS(ON) •OptimizedswitchingparametersforbetterEMI performance •Enhancedbodydiodeforrobustnessandfast reverserecovery Applications •FlybackforSMPS •Charger,PDAdapter,TV,lighting	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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技术参数

Package：
TO262F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
700
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
29.50
10V：
360
Qg (10V)(nC)：
22.50
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
1360
Coss (pF)：
34
Crss (pF)：
1.70
Qgd (nC)：
6.30
tD(on) (ns)：
24.50
tD(off) (ns)：
34.50
Trr (ns)：
310
Qrr (nC)：
4800
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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