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AOI360A70	文件：671.96 Kbytes Page：6 Pages	700V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology • Low RDS(ON) • Optimized switching parameters for better EMI performance • Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS • Charger,PD Adapter,TV,lighting 文件：671.96 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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AOI360A70	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 700V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOW360A70	文件：658.68 Kbytes Page：6 Pages	700V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology • Low RDS(ON) • Optimized switching parameters for better EMI performance • Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS • Charger ,PD Adapter, TV, lighting. 文件：658.68 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW360A70	文件：658.67 Kbytes Page：6 Pages	700V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology • Low RDS(ON) • Optimized switching parameters for better EMI performance • Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS • Charger ,PD Adapter, TV, lighting 文件：658.67 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOWF360A70	文件：658.67 Kbytes Page：6 Pages	700V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology • Low RDS(ON) • Optimized switching parameters for better EMI performance • Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS • Charger ,PD Adapter, TV, lighting 文件：658.67 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO251A
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
700
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
138
10V：
360
Qg (10V)(nC)：
22.50
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
1360
Coss (pF)：
34
Crss (pF)：
1.70
Qgd (nC)：
6.30
tD(on) (ns)：
24.50
tD(off) (ns)：
34.50
Trr (ns)：
310
Qrr (nC)：
4800
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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