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MGBR20S60CG-TND-R	文件：140 Kbytes Page：3 Pages	DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIERS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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S20S60	文件：245.48 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(20A,30-60V) TheD2PAKPowerrectifieremploystheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: LowForwardVoltage. LowSwitchingnoise. HighCurrentCapacity GuaranteeReverseAvalanche. *Guard-RingforStressProtection	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S20S60CR	文件：175.77 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS 20AMPERES35-60VOLTS TheI2PAKPowerrectifieremploystheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: LowForwardVoltage. LowSwitchingnoise. *HighCurrentCapacity	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
SFR20S60F	文件：757.14 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereInsulatedDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SFR20S60FA	文件：736.65 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereInsulatedDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

详细参数

型号：
AOWF20S60
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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