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AOTF600A70L	文件：534.23 Kbytes Page：6 Pages	700V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS• Charger ,PD Adapter, TV, lighting. 文件：534.23 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF600A70L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 700V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor\n	AOS 美国万代	AOS
AOB600A70L	文件：534.23 Kbytes Page：6 Pages	700V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS• Charger ,PD Adapter, TV, lighting. 文件：534.23 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD600A70	文件：667.17 Kbytes Page：6 Pages	700V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS• Charger ,PD Adapter, TV, lighting. 文件：667.17 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD600A70R	文件：533.58 Kbytes Page：6 Pages	700V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS• Charger,PD Adapter,TV,lighting 文件：533.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
700
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
8.50
PD @ 25°C (W)：
27
10V：
600
Qg (10V)(nC)：
15.50
VGS(th) max (V)：
3.50
Ciss (pF)：
870
Coss (pF)：
23
Crss (pF)：
1.30
Qgd (nC)：
5.60
tD(on) (ns)：
22
tD(off) (ns)：
36
Trr (ns)：
245
Qrr (nC)：
3000
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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