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AOTF380A60CL	文件：503.39 Kbytes Page：6 Pages	600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies• Silver ATX ,adapter, TV, lighting, Server power 文件：503.39 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF380A60CL	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOTF380A60L	文件：652.24 Kbytes Page：6 Pages	600V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology • Low RDS(ON) • Optimized switching parameters for better EMI performance • Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies • Silver ATX ,adapter, TV, lighting, 文件：652.24 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOWF380A60C	文件：612.98 Kbytes Page：6 Pages	600V a MOS5 TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology • Low RDS(ON) • Optimized switching parameters for better EMI performance • Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC, Flyback and LLC topologies • Silver ATX ,adapter, TV, lighting, S 文件：612.98 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
ITK380A60Y	文件：343.84 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：343.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
27
10V：
380
Qg (10V)(nC)：
20
VGS(th) max (V)：
3.80
Ciss (pF)：
955
Coss (pF)：
29
Crss (pF)：
2.40
Qgd (nC)：
6.60
tD(on) (ns)：
20
tD(off) (ns)：
43
Trr (ns)：
251
Qrr (nC)：
3100
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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