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AOTF10B65MQ2

650V, 10A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

GeneralDescription •LatestAlphaIGBT(αIGBT)technology•650Vbreakdownvoltage•Veryfastandsoftrecoveryfreewheelingdiode•Highefficientturn-ondi/dtcontrollability•LowVCE(sat)enableshighefficiencies•Lowturn-offswitchinglossandsoftness•VerygoodEMIbehavior•Highshort-cir

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOTF10B65MQ2

AlphaIGBT™;

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性\n\n

AOSAlpha & Omega Semiconductor(AOS)

美国万代美国万代半导体

AOT10B65MQ2

650V,10AAlphaIGBTTMWithSoftandFastRecoveryAnti-ParallelDiode

GeneralDescription •LatestAlphaIGBT(αIGBT)technology•650Vbreakdownvoltage•Veryfastandsoftrecoveryfreewheelingdiode•Highefficientturn-ondi/dtcontrollability•LowVCE(sat)enableshighefficiencies•Lowturn-offswitchinglossandsoftness•VerygoodEMIbehavior•Highshort-cir

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

技术参数

  • Package:

    TO220F

  • Configuration:

    IGBT with Anti-Parallel Diode

  • Qg (nC):

    24

  • Qrr (nC):

    240

  • VF (V):

    2.10

  • VCE max (V):

    650

  • VCE(SAT) typ (V):

    1.60

  • Ic max @ 25C (A):

    20

  • Ic max @ 100C (A):

    10

  • EON (mJ):

    0.18

  • EOFF (mJ):

    0.13

  • IRM (A):

    3.90

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更多AOTF10B65MQ2供应商 更新时间2025-7-29 17:37:00