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AOT264L	文件：299.38 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOT264L/AOB264L combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Product Su 文件：299.38 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT264L	文件：289.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT264L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AQZ264	文件：648.09 Kbytes Page：3 Pages	High capacity up to 6A in a slim SIL package FEATURES 1. High capacity type power PhotoMOS. Can switch a wide range of currents and voltages. Can control various types of loads, from very small loads to a max. 6A AC/DC current for sequencers, motors, and lamps. 2. Low on-resistance and high sensitivity. Low on-resistance of less th 文件：648.09 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
ASIMRF264	文件：30.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF264 is Designed for Class C VHF Mobile Radio Power Amplifier Applications Operating at 12.5 Volts. FEATURES: • POUT = 30 W Min. @ 175 MHz • Gold Metalization • Economical TO-220 CE Package 文件：30.03 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
AT-264	文件：59.84 Kbytes Page：2 Pages	Digital Attenuator, 4 Bit, Single Control 30 dB, 0.5 - 2.0 GHz Description The M/A-COM AT-264 is a 4 bit, 2 dB step GaAs MMIC digital attenuator in a low cost TSSOP-16 surface mount plastic package. The AT-264 is ideally suited for use where high accuracy, very low power consumption and low intermodulation products are required. Typical applications include 文件：59.84 Kbytes 页数：2 Pages	MACOM	MACOM

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
3.20
6V：
3.50
ID @ 25°C (A)：
140
PD @ 25°C (W)：
333
Qg (10V)(nC)：
75
VGS(th) max (V)：
3.20
Ciss (pF)：
6960
Coss (pF)：
840
Crss (pF)：
30
Qgd (nC)：
5
tD(on) (ns)：
23
tD(off) (ns)：
45
Trr (ns)：
26
Qrr (nC)：
155
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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