AOP610中文资料Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor数据手册AOS规格书
AOP610规格书详情
描述 Description
General Description
The AOP610 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. A Schottky diode in parallel with the n-channel FET reduces body diode related losses. It is
ESD protected. Standard product AOP610 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOP610L is a Green Product ordering option. AOP610 and AOP610L are electrically identical.
特性 Features
n-channel p-channel
VDS (V) = 30V -30V
ID = 7.7A (VGS=10V) -6.2A (VGS=10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 24mΩ (VGS=10V) < 37mΩ (VGS = -10V)
< 42mΩ (VGS=4.5V) < 60mΩ (VGS = -4.5V)
ESD rating: 1500V (HBM)
技术参数
- 型号：
AOP610
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/ 万代 |
24+ |
DIP8 |
19151 |
公司现货库存 支持实单 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2019+ |
DIP8 |
6700 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
AOS/万代 |
25+ |
PDIP-8 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
AOS |
23+ |
DIP8 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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AOS/万代 |
23+ |
PDIP-8 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Alpha&Omega |
24+ |
8-DIP |
4965 |
询价 | |||
AOS(万代) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
PDIP-8 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Alpha & Omega Semiconductor In |
22+ |
8PDIP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
