AOP605中文资料MOSFET：Complementary数据手册AOS规格书
AOP605规格书详情
描述 Description
AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very efficient manufacturing model. Our product portfolio covers 6V to 1000V MOSFETs and 600V, 650V, 1200V, and 1350V IGBTs.
技术参数
- 型号：
AOP605
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
DIP8 |
19147 |
公司现货库存 支持实单 |
询价 | ||
AO |
25+ |
DIP-8 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
DIP8 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2403+ |
DIP8 |
11809 |
原装现货!欢迎随时咨询! |
询价 | ||
AOS/万代 |
25+ |
DIP-8 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
AOS(万代) |
2511 |
标准封装 |
20000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
AOSMD |
23+ |
DIP8 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
PDIP-8 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
AOS(万代) |
23+ |
标准封装 |
20000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
DIP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
