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AOP607规格书详情
General Description
The AOP607 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AOP607 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOP607L is a Green Product ordering option. AOP607 and AOP607L are electrically identical.
Features
n-channel p-channel
VDS (V) = 60V -60V
ID = 4.7A (VGS=10V) -3.4A (VGS=-10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 56mΩ (VGS=10V) < 105mΩ (VGS =-10V)
产品属性
- 型号:
AOP607
- 功能描述:
MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ALPHA |
23+ |
NA/ |
4960 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
AOS |
18+ |
DIP8 |
9800 |
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AOS |
08+ |
DIP8 |
9000 |
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Alpha & Omega Semiconductor In |
21+ |
8PDIP |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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AO万国 |
0746+ |
DIP-8 |
8000 |
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23+ |
DIP-8 |
90000 |
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AO万国 |
24+ |
DIP-8 |
860000 |
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DIP8 |
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DIP8 |
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Alpha&Omega |
07+/08+ |
8-DIP |
3553 |
询价 |