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AOP605中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

AOP605

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

188.26 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-30 15:18:00

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AOP605规格书详情

General Description

The AOP605/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. AOP605 and AOP605L are electrically identical.

-RoHS Compliant

-AOP605L is Halogen Free

特性 Features

n-channel p-channel

VDS(V) = 30V -30V

ID= 7.5A (VGS= 10V) -6.6A (VGS= -10V)

​​​​​​​

RDS(ON)

< 28mΩ (VGS= 10V) < 35mΩ (VGS= -10V)

产品属性

  • 型号:

    AOP605

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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