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MP6508GF	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6508GR	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MTD6508	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508-ADJE/JQ	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508-ADJESLASHJQ	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508T-E/NA	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508T-ESLASHNA	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
N6508NZ	文件：448.96 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,9.5A,0.85 Description TheN6508NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=0.85MAX.(VGS=10V,ID=4.75A) Lowinputcapacitance Ciss=2160pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±9	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NTE6508	文件：37.57 Kbytes Page：4 Pages	IntegratedCircuitCMOS,1KStaticRAM(SRAM) Description: TheNTE6508isa1024x1fullystaticCMOSRAMina16–LeadDIPtypepackagefabricatedusingself–alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoacheivehighperformanceandlowpoweroperation.Onchiplatchesareprovidedforaddressallowi	NTE NTE Electronics	NTE
NX6508	文件：258.43 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1470TO1610nmFOR2.5Gb/s,CWDM InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6508Seriesisa1470to1610nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. Thesedevicesareidealfor2.5Gb/sCWDMapplication. FEATURES •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
AON6508
功能描述：
MOSFET N CH 30V 32A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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